공정이 필수적
-연마헤드(Polishing Head)
연마를 위해 웨이퍼를 부착하여 이송하고, 연마중에는 웨이퍼를 패드면에 접촉시켜 압력가함
연마헤드의 구성 요소
웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척(Wafer chuck)
웨이퍼가 연마 중에 이탈하는 것을 방지하는 리테이너 링(Retainer Ring)
이들 부위를 지지하
Light Emitting Diode(LED) Process Design
- Team Project Report(Group12)
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅰ. LED
LED(Light Emitting Diode)는 반도체에 전압을 인가할 때 생기는 발광현상을 이용한 광원이다. 전기를 통해주면 전자가 에너지 레벨이 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하면서 특정한 파장의 빛을 내는 화합물 반도체에
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급
공정을 시작하여야 한다.
◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 집적회로(IC)를 각각 절단하면 IC칩이 되는 것인데요,
여기서, 웨이퍼(Wafer)란 반도체 집적회로를 만드는 중요한 재료로, 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게
따라 물질의 광학적 성질이 다른 것)
[ A-Si TFT 의 동작방식과 구조, 공정 ] 일부 발췌 요약
o 비정질 실리콘(amorphous Si)
- 이웃하는 4개의 다른 Si와 고유결합
- 수소원자를 연결하여 비정질 실리콘 (a-Si:H)생성
- a-Si:H : 직접반도체
- 증착용이
- 저온증착가능
- TFT공정의 유연성
(중략)
wafer는 표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜 절연체위에 형성된 고순도 silicon layer의 가공, 효율 및 특성을 대폭 향상시킨wafer
절연체로 차단된 얇은 무결점 실리콘 층을 제공하기 때문에 절연벽이나 웰(Well)형성 공정 등을 줄일 수 있어 제품개발 및 생산기간, 비용을 줄일 수있어 효율